Transparent conductive indium-tin oxide (ITO) films are widely used as transparent electrodes for flat panel displays. Many of the ITO films for practical use have been prepared by magnetron sputtering, chemical vapor deposition, electron beam evaporation, etc. An oxide target composed of 10 wt% SnO2 and 90 wt% In2O3 has been deposited onto polycyclic olefin polymer (POP) substrate by electron beam evaporation. POP has a higher glass transition temperature (Tg = 330 ℃) than other conventional polymers. In this study, the effects of substrate temperature and the O2 introduction flow rate were investigated in terms of physical, electrical and optical properties of deposited ITO films. We investigated the effects of processing variables such as substrate temperature and the oxygen introduction flow rate. The best electrical and optical properties of deposited ITO films obtained from this study were electrical resistivity value of Ρ=1.78×10-3 Ωㆍcm and optical transmittance of about 85% at 8 sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute) O2 introduction flow rate, 5 Å/sec deposition rate, 1000 Å deposited ITO thickness and 200 ℃ substrate temperature.

투명전극재료 indium tin oxide (ITO) 필름은 평판 디스플레이 전극재료로 널리 사용되고 있다. 이러한 ITO 필름은 마그네트론 스퍼터링법, 기상화학증착법 및 전자빔증착법 등의 방법으로 제조되어지고 있다. 본 실험에서는 전자빔 증착법으로 무게비로 SnO2가 10%, In2O3가 90%인 ITO 타겟을 다른 플라스틱 기판보다 높은 유리전이 온도(Tg = 330 ℃)를 가지는 polycyclic olefin polymer (POP) 플라스틱 기판에 증착시켰다. 본 연구에서는 ITO 박막의 물리적, 전기적및 광학적 성질에 영향을 미치는 중요한 변수라 할 수 있는 기판온도와 산소도입속도가 증착된 ITO 박막의 전기적 및 광학적 성질에 미치는 영향을 살펴보았다. 주요공정 변수로는 온도 및 산소도입속도에 중점을 두어 실험하였으며 그 결과 8 sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute)의 O2, 200 ℃의 기판 온도, 5 Å/sec의 증착 속도에서 1000 Å으로 증착된 ITO 박막 두께에서 우수한 전기적ㆍ광학적 성질인 1.78 × 10-3 Ωㆍcm 비저항 및 85% 광투과율을 얻을 수 있었다.