In order to study the effects of GeO2 contents in XSiO2⋅YGeO2 and XSiO2⋅YNa2O⋅ZGeO2 compounds on far infrared ray radiation, we investigated the sample of XSiO2⋅YGeO2 and XSiO2⋅YNa2O⋅ZGeO2 using TG-DTA, XRD, FT-IR spectrophotometer and FT-IR spectrometer. The far infrared ray emissivity and emission power were increased with the increase of GeO2 contents in XSiO2⋅YGeO2 and XSiO2⋅YNa2O⋅ZGeO2 compounds. The far infrared ray emissivity and emission power of XSiO2⋅YGeO2 compounds were higher than those of XSiO2⋅YNa2O⋅ZGeO2 compounds.

XSiO2⋅YGeO2계 화합물과 XSiO2⋅YNaO2⋅ZGeO2계 화합물을 제조하고 이들 화합물에서 GeO2의 함량을 변화시켜 원적 외선 방사율과 원적외선 방사에너지에 미치는 영향을 연구하였다. 제조된 시료의 특징은 TG-DTA, XRD, FT-IR spectrophotometer 그리고 FT-IR spectrometer에 의해 조사되었다. XSiO2⋅YGeO2와 XSiO2⋅YNaO2⋅ZGeO2계의 화합물은 GeO2 의 함량이 증가할수록 원적외선 방사율과 방사에너지가 점차적으로 증가하였다. 원적외선 방사율과 방사에너지는 XSiO2⋅ YGeO2계 화합물의 경우가 XSiO2⋅YNaO2⋅ZGeO2계 화합물보다 높게 나타났다.