Titanium oxide films were deposited by the nozzle type HCP RT-MOCVD for the application of metal-oxide films. In the case of TTNB, after depositing films, films must be annealed at a proper temperature, but in the case of titanium ethoxide, titanium oxide films could be directly deposited by titanium ethoxide without general annealing. We could confirm that ratio of O to Ti in the films was about 2 : 1 at RF-power of 240 watt, distance between cathode and substrate of 3 cm, deposition time of 20 min, and ratio of Ar to O2 of 1 : 1. Therefore, we could obtain the titanium oxide film deposited by the nozzle type HCP RT-MOCVD without an annealing process and could apply in the metal-oxide deposition process at a low temperature.

금속 산화막 공정에 응용하기 위하여 노즐형태 HCP (hollow cathode plasma) RT-MOCVD에 의해 티타늄 산화막을 증착하였다. TTNB (titanium n-butoxide)를 사용하였을 경우 막을 증착한 후 열처리하여야 하지만 titanium ethoxide 에 의해 막을 증착하면 일반적으로 수반되는 열처리 공정을 생략하여도 티타늄 산화막이 직접적으로 형성되었다. RF-power 240 watt, 전극과 기판과의 거리가 3 cm, 반응시간 20 min, Ar와 O2의 유량비 1 : 1에서 티타늄과 산소의 조성비가 1 : 2임을 확인할 수 있었다. 따라서 노즐형태 HCP RT-MOCVD에 의해 티타늄 산화막을 열처리 공정 없 이 증착되었으며, 저온에서 다양한 금속 산화막 증착 공정에 응용할 수 있었다.