The requirements of non-volatile memories are increasing by needs for the IT&mobile equipments with larger memory capacity. New devices with non-volatile properties are also been requiring because of the presumed technical limitations of typical flash memory related to decreasing the feature size such as the charge capacitance of floating gate, the leakage current throughout tunneling oxide, and so on. One of the non-volatile memory devices for the next generation is about to use organic and polymeric materials as the acitve area in the devices. The device properties based on organic and polymeric materials have to meet the requirements which are a higher speed and a higher speed and a higher density for integrated tera-bit memory devices. There are some possible device models based on organic and polymeric materials which are "ferroelectric polarization", "ion distribution", "charge control", and so on. In this paper, we are introducing recent developing trends of non-volatile memory devices for the next generation and presenting the models of nonvolatile memory devices based on organic and polymeric materials.

IT 산업과 휴대용 정보 기기의 비약적인 발전에 따라 높은 기억 용량을 가진 비 휘발성 메모리에 대한 요구가 증가하고 있으며, 현재 실리콘 기반의 플래시 메모리는, 소자 크기의 감소에 의해 터널링 산화막의 누설 전류와 플로팅 게이트의 정전 용량과 같은 기술적 한계들이 예상됨에 따라, 다양한 형태의 차세대 비 휘발성 메모리 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. 이에, 비 휘발성 메모리 소자의 핵심 기능성 소재로 유기물 및 고분자를 사용하여, 기존의 플래시 메모리 소자의 한계를 극복하고, 고속의 정보 저장 및 삭제 구동이 가능하고, 고집적이 용이하여 테라 비트급 소자를 구현할 수 있는 기술 연구도 진행 중에 있다. 이러한 유기물 및 고분자 소재를 이용한 메모리 소자들의 정보 기억 방식은, 강유전성 고분자의 분극 변화에 의한 이력 특성의 이용, 유기물 및 고분자 기지에 금속 이온 분포 및 농도를 제어하는 방법, 금속 박막 층 및 입자가 내제된 유기물 및 고분자 또는 전하 이동 착물을 사용하여 소자 내부의 전하 상태를 제어하는 방식 등과 분자 구조의 형태 변화 및 산화ㆍ환원 상태의 변화를 이용하는 방식 등이다. 본 총설에서는 비 휘발성 메모리 소자의 최근 연구 동향과 이들 중 유기물 및 고분자 소재를 이용한 비 휘발성 메모리 소자에 대하여 소개한다.