The porous cyclic silsesquioxane (CSSQ) films were prepared by varying the amounts of cyclodextrin-based porogens. The mechanical and electrical properties of these deposited films were investigated for the applications as low dielectric materials. The porous thin films prepared with CSSQ and tCD (heptakis(2,3,6-tri-O-methyl)-β-cyclodextrin) showed fairly good mechanical property (elastic modulus>4 Gpa, crack velocity<10-9μm/sec @ k<2.2), because the films had very small nanopores, below 2 nm. Moreover, the solvent stability of the films was good due to the hydrophobic characteristics of CSSQ matrix. The leakage current of the (CSSQ) films (~10-10A/cm2) also showed competitive value as compared with existing low-k materials.

Cyclodextrin계 porogen의 함량을 달리하여 다공성 cyclic silsesquioxane (CSSQ) 박막을 제조하였다. 이러한 다공성 박막을 저유전(low-k) 재료로 활용하기 위하여 증착된 박막의 기계적 그리고 전기적 특성을 살펴 보았다. CSSQ와 tCD (heptakis(2,3,6-tri-O-methyl)-β-cyclodextrin)으로 구성된 조성물에서 제조된 다공성 박막은 약 2 nm 이하의 나노 기공을 가지고 있기 때문에 기계적 물성(elastic modulus>4 Gpa, crack velocity<10-9μm/sec @ k<2.2)이 우수하였다. 또한 CSSQ 매트릭스의 소수성(hydrophobicity)으로 인하여 박막의 내용제성이 우수하였다. 누설 전류(leakage current)도 10-10A/cm2정도로 기존에 사용되는 저유전 막들과 대등한 물성을 보였다.