Fe-C:H films were deposited in a RF plasma with ferrocene (Fe(C_(5)H_(5)_(2)). The deposited Fe-C:H films consisted of C-H_(n), C=C, and C-CH_(n). We confirmed the Fe-Si bonding in the interface using Raman and XRD analysis. Also, island growth was occured by the formation of Fe-Si chister. The deposition rate linearly increased with the flow rate of hydrogen. In all condition. In all conditions of experiments, the band gap of Fe-C:H film and Fe-Si was about 3.8 eV and 0.85∼0.86 eV, respectively. Urbach tail and the number of defects decreased with increasing the flow rate of hydrogen.

페로센 (Fe(C_(5)H_(5))_(2))으로 RF 플라즈마를 이용하여 Fe-C : H 막을 증착하였다. 증착한 Fe-C : H 막은 C-H_(n), C=C, C-CH_(n)으로 구성되어 있었으며, Raman과 XRD 분석을 이용하여 계면에서 Fe-Si의 결합을 확인할 수 있었다. 또한 Fe-Si 클러스터에 의하여 island 성장이 진행되었다. 증착 속도는 수소의 유량이 증가할수록 선형적으로 증가하였다. Fe-C : H 막과 Fe-Si의 밴드갭은 각각 모든 실험 조건에서 약 3.8 eV과 0.85~0.86 eV이었다. 막의 Urbach tail과 결함수는 수소 유량이 증가할수록 감소하였다.