The defects, such as vacancy, grain size, the degree of crystalline, impurities (or doping materials) etc., play an important role in the determination of band gap and the application of film. They show various properties, depending on experimental conditions. In this work, it was found that vacancy with increasing rf-power was plentifully existed in a-Si:H film and the crystallinity of a film, the band-gap and the number of defects increased with long annealing time. It was shown that the band-gap and the defect-number decreased with increasing the density of grain. The number of defects was found to the be in proportion to the band gap. Consequently, we found that the band-gap with controlling the number of defect can be variously applied in the specific sensor.

공공의 존재와 그레인의 크기, 결정화도, 불순물과 같은 결함들은 band gap의 결정과 막의 응용성에 중요한 역할을 하며 실험 조건에 따라 다양한 특성을 나타내고 있다. 본 연구에서 a-Si:H는 rf파워가 증가할수록 공공이 많이 존재하였으며, 열처리 시간을 증가시켰을 때 막의 결정성, band gap과 결함수 모두 증가하였다. 또한 그레인 수가 증가할수록 band gap과 결함수는 감소하는 것으로 나타났으며, 결함수와 band gap은 서로 비례 관계에 있다. 따라서 특정 센서에 응용하기 위한 막은 결함수를 제어하므로써 적절한 band gap을 가지게 할 수 있다.